| 型号：FDR844P | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：8-SSOT，SuperSOT-8 | 描述：MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 10A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 11 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 74nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 4951pF @ 10V |
| 功率_最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 供应商设备封装 | 8-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市深科创科技有限公司 | 吴先生/吴小姐/李小姐0755-83247290 |
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